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《模擬電子技術》模擬試題四
《模擬電子技術》模擬試題四
一．填充題（每空1分，共20分）
1．按擊穿的機理區分，PN結的擊穿分為 擊穿和 擊穿。
2．電路如附圖4.1所示，當V=5V時測得ID＝2mA；若V增大到10V，ID的值；若V不變，而環境
溫度降低時，ID的值。
3．由晶體管共射極輸出特性可見，在放大區iB不變時，iC隨uCE的增大而略增加，原因是uCE增大時基區有效寬
度 ，這稱為 效應。
4．使直接耦合放大電路產生零點漂移的原因主要是 和元件的 。
5．若增大固定偏置共射極放大電路中晶體管的IBQ，該放大電路大減小。
6．共集電極放大電路中的輸出電壓頂部被削平時，電路產生的是 失真；乙類功放電路的主要缺點是輸出有 失真。
7．負反饋放大電路的fHf (1 AF)fH，適用于反饋環內只有一的電路；負反饋改善放大電路的性能是
以 為代價。
8．電容三點式正弦波振蕩電路的主要優點是 ，主要缺點是 。
9．為了抑制零點漂移，集成運放的輸入級一般選用 放大電路，因此由半導體三極管組成輸入級的集成運放，兩個輸入端的外接電阻應 。
10．用集成運放組成的非正弦信號發生器一般由 和 兩個部分組成。
二．分析計算題（共80分）
1．（12分）有兩個相同的基本放大電路，負載開路時的電壓放大倍數Au1 Au2 50、輸入電阻Ri1 Ri2 2kΩ、輸出電阻Ro1 Ro2 10kΩ，現用這兩個基本放大電路組成一個多級放大電路，并用內阻Rs 2kΩ的正弦波信號源驅動，輸出端接10kΩ的負載電阻RL。試求該多級放大電路的輸入電阻Ri、輸出電阻Ro、電壓放大倍數Au及源電壓放大倍數Aus。
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2．（12分）電路如附圖4.2所示，設T1、T2特性相同，IDSS＝4mA、UGS(off)＝－4V；調零電位器RW＝2kΩ，其滑動端調在中點。試計算：
（1）靜態工作點的值；
（2）Aud、Ro；
（3）若電路改為從T1的漏極與“地”之間輸出，求這種情況下的差模電壓放大倍數、共模電壓放大倍數、共模抑制比以及輸出電阻。
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3．（12分）電路如附圖4.3所示，已知集成運放的性能理想，T1、T2性能一致，輸入電壓是一個幅度為1V的正弦波信號。
及每個功放管的功耗PT。（1）說出R2引入什么類型的反饋；（2）試求輸出功率Po、功放級的電源消耗功率PV、
4．（12分）電路如附圖4.4所示。已知集成運放性能均理想，R1 R2 R、R3 R4 R5。試求：
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（1）Au1(s) Uo1(s)/Ui(s)的表達式；A(s) Uo(s)/Ui(s)的表達式； （2）u
（3）試問運放A1組成什么電路？整個電路又是什么電路？
5．（10分）一比較器如附圖4.5所示已知硅穩壓管DZ的穩定電壓UZ=6V，正向導通時的電壓降為0.6V，UR＝12V，集成運放性能理想。
（1）試求輸出高電平UOH、低電平UOL和閾值電壓值；（2）畫出電壓傳輸特性曲線。
2-1u 4u 3uK 1VOII6．（10分）試用一個性能理想的集成運放和的模擬乘法器設計一個運算電路，實現的運
算功能。要求畫出電路，標出各電阻之間的比例關系。
7．（12分）電路如附圖4.6所示，設集成運放性能理想，UI 足夠大。試求：
（1）最大輸出電壓UO(max)，并說明在什么條件下獲得；（2）最小輸出電壓UO(min)，并說明在什么條件下獲得。
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